上個(gè)月有報(bào)道稱(chēng)，傳星儲(chǔ)專(zhuān)長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）已經(jīng)開(kāi)始出貨第五代3D TLC NAND閃存，將采江存共有294層，用長(zhǎng)以及232個(gè)有源層。利混長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)成功地將密度提高到行業(yè)相同的合鍵合技水平，實(shí)現(xiàn)了最高的傳星儲(chǔ)專(zhuān)垂直柵密度，也是將采江存現(xiàn)階段商業(yè)產(chǎn)品中最高的，使其成為了全球NAND閃存市場(chǎng)的用長(zhǎng)有力競(jìng)爭(zhēng)者。
據(jù)TrendForce報(bào)道，利混三星將從第10代V-NAND閃存開(kāi)始，合鍵合技采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的傳星儲(chǔ)專(zhuān)專(zhuān)利混合鍵合技術(shù)。三星的將采江存目標(biāo)是在2025年下半年開(kāi)始量產(chǎn)第10代V-NAND閃存，預(yù)計(jì)總層數(shù)達(dá)到420層至430層。用長(zhǎng)此外，利混傳聞SK海力士也正在與長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行專(zhuān)利協(xié)議的合鍵合技談判。
大概在四年前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)率先將名為“晶棧（Xtacking）架構(gòu)”的混合鍵合技術(shù)應(yīng)用于3D NAND閃存，隨后逐步建立了強(qiáng)大的專(zhuān)利組合。三星在之前的NAND閃存里采用了COP（Cell-on-Periphery）結(jié)構(gòu)，將外圍電路放在一塊晶圓上，然后單元堆疊在上面，不過(guò)當(dāng)層數(shù)超過(guò)400層時(shí)，下層外圍電路的壓力會(huì)影響可靠性。改用混合鍵合技術(shù)后，消除了對(duì)凸塊的需求，縮短了電路，從而提高了性能和散熱性。
據(jù)了解，目前Xperi、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、以及臺(tái)積電（TSMC）擁有大多數(shù)混合鍵合技術(shù)的專(zhuān)利。三星之所以選擇與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作，很大程度上是因?yàn)榻酉聛?lái)的第11代和第12代V-NAND閃存都很難繞過(guò)后者的專(zhuān)利。