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新CPU將首發(fā) Intel宣布18A工藝制程進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段

來(lái)源:琨玉秋霜網(wǎng)時(shí)間:2025-05-03 03:20:38

新CPU將首發(fā) Intel宣布18A工藝制程進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段

快科技4月2日消息,新C宣布險(xiǎn)試近日舉辦的將首IntelVision 2025大會(huì)上,Intel正式宣布其Intel 18A工藝制程技術(shù)已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段。藝制

新CPU將首發(fā) Intel宣布18A工藝制程進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段

Intel代工服務(wù)副總裁 Kevin O'Buckley在Intel即將全面完成其“四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)(5N4Y)” 計(jì)劃之際宣布了這一消息。程進(jìn)產(chǎn)階

該計(jì)劃最初由前CEO帕特·基辛格(Pat Gelsinger)所規(guī)劃,入風(fēng)是新C宣布險(xiǎn)試該公司預(yù)計(jì)從競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電手中奪回半導(dǎo)體王位的一部分。

KevinO'Buckley表示,將首風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)雖然聽(tīng)起來(lái)很可怕,藝制但實(shí)際上是程進(jìn)產(chǎn)階一個(gè)產(chǎn)業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語(yǔ)。 風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的入風(fēng)重要性在于我們已經(jīng)將技術(shù)發(fā)展到了可以量產(chǎn)的程度。

他還強(qiáng)調(diào),新C宣布險(xiǎn)試Intel已經(jīng)生產(chǎn)了大量Intel 18A測(cè)試芯片。將首 相較之下,藝制風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)包括將完整的程進(jìn)產(chǎn)階芯片設(shè)計(jì)晶圓投少量生產(chǎn),再通過(guò)調(diào)整其制造流程,入風(fēng)并在實(shí)際生產(chǎn)運(yùn)作中驗(yàn)證節(jié)點(diǎn)和制程設(shè)計(jì)套件(PDK)。據(jù)悉,Intel將在2025年下半年擴(kuò)大Intel 18A的產(chǎn)量。

31日舉辦的Intel Vision開(kāi)幕活動(dòng)中,Intel新任CEO陳立武宣布,18A工藝技術(shù)仍按計(jì)劃進(jìn)行,接近第一批外部流片,預(yù)計(jì)今年下半年首發(fā)該工藝的PantherLake處理器將進(jìn)行大批量生產(chǎn)。

據(jù)悉,Intel的下一代面向移動(dòng)端筆記本的Panther Lake將于2025年下半年發(fā)布(預(yù)計(jì)命名為酷睿Ultra 300系列)。

公開(kāi)資料顯示,Intel “四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)” 計(jì)劃是該公司在2021年7月提出的半導(dǎo)體制造戰(zhàn)略,目的是通過(guò)四年時(shí)間(2021-2025 年)推出五個(gè)制程節(jié)點(diǎn),重塑其在先進(jìn)制程領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

2010年代后期,Intel在10nm/7nm節(jié)點(diǎn)遭遇多次延遲,而臺(tái)積電、三星通過(guò)EUV技術(shù)快速推進(jìn)3nm/2nm制程,導(dǎo)致Intel在移動(dòng)端和服務(wù)器市場(chǎng)份額被蠶食。

2021年帕特?基辛格接任CEO后,提出 “集成設(shè)備制造商(IDM)2.0” 戰(zhàn)略,強(qiáng)調(diào)自主制造能力與代工服務(wù)并重。“四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)” 計(jì)劃成為IDM 2.0的核心載體,目標(biāo)是到2025年通過(guò)五個(gè)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)制程反超。

為更準(zhǔn)確反映性能與能效提升,Intel放棄傳統(tǒng)的nm命名法,改用Intel7/4/3/20A/18A的新命名體系。20A工藝等效2nm級(jí),18A則等效于1.8nm級(jí)。

2024年9月,Intel宣布,18A工藝進(jìn)展順利且超過(guò)預(yù)期,Arrow Lake高性能處理器原定采用的20A工藝已經(jīng)取消,改為外部代工制造。

18A工藝在20A的基礎(chǔ)上打造,將成為首款同時(shí)采用PowerVia背面供電和RibbonFET環(huán)繞式柵極(GAA)晶體管技術(shù)的芯片。

其中,PowerVia提供優(yōu)化的電源布線(xiàn),可提高性能和晶體管密度,而RibbonFET能夠精確控制晶體管溝道中的電流,在減少功耗方面發(fā)揮著重要作用,同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)芯片組件的進(jìn)一步小型化。

按照Intel的愿景,18A將是其反超臺(tái)積電、重奪半導(dǎo)體工藝世界第一的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。